Diodes半导体,晶体管(BJT) - 阵列MMDT5401-7-F产品说明 数据列表 MMDT5401 产品相片 SOT-363 SOT-363 RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance 其它图纸 SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 SOT-363 Package Side 2 PCN 设计/规格 Green Encapsulate Change 09/July/2007 标准包装 ? 3,000 类别 分立半导体产品 家庭 晶体管(BJT) - 阵列 系列 - 包装 ? 带卷(TR)? 晶体管类型 2 PNP(双) 电流 - 集电极(Ic)(较大值) 200mA 电压 - 集射较击穿(较大值) 150V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(较大值) 500mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(较大值) 50nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(较小值) 60 @ 10mA,5V 功率 - 较大值 200mW 频率 - 跃迁 300MHz 安装类型 表面贴装 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 SOT-363 其它名称 MMDT5401-FDITR MMDT54017F Diodes半导体,晶体管(BJT) - 阵列MMDT5401-7-F价格,每周一更新 美国2号仓库 仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货 Diodes半导体,晶体管(BJT) - 阵列更多型号 MMDT5401-7-F MMDT5551-7-F DMA204010R DMC204010R DMMT5401-7-F DMMT3906W-7-F DMMT3904W-7-F ULN2003D1013TR